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產品介紹

陶瓷散熱基板 薄膜製程

利用半導體薄膜製程中的濺鍍、電鍍/化學鍍沉積、曝光顯影等技術，在陶瓷板上做金屬化加工，刻畫電路圖形，開發出薄膜陶瓷基板製程（DPC，Direct Plate Copper，直接鍍銅基板）。

陶瓷散熱基板結合陶瓷優異之散熱能力及金屬之導體特性，具有熱傳導率佳、厚度薄、尺寸小等特點。結合薄膜製程更使其具有產品線路附著性佳、表面平整度高、及對位精準等優點，產品應用極為廣泛。

主要應用：

• 1. 高功率LED封裝基板
• 2. 太陽能電池
• 3. 車用電子
• 4. 微波無線通訊
• 5. 半導體設備

Substrate Physical Properties：

Characteristic Value	AlN	Al2O3 (96%)
Color	Gray	White
Density	3.3 g/cm3	3.7 g/cm3
Thermal Conductivity	≧170 W/mk	～22 W/mk
Coefficient of Thermal Expansion	4.6 x 10-6/℃ (R.T.～400℃)	7.3 x 10-6/℃ (25～800℃)
Dielectric Strength	15 KV/mm>	14 KV/mm (AC 60Hz)
Volume Resistivity	≧1013Ω‧cm	≧1014Ω‧cm (25℃)
Dielectric Constant	9.0 1MHz	9.4 1MHz
Bending Strength	≧330 MPa	≧320 MPa

Specification

Characteristic		ALN	Al2O3 (96%)
Substrate Part	Dimensions	Up to 4.5” x 4.5”	Up to 5” x 5”
	Dimensional Tolerance	±1% NLT ±0.1mm	±0.60%, NLT : ±0.08mm
	Thickness	0.38 / 0.5 / 0.635 mm	0.38 / 0.5 / 0.635 / 1.0 mm
	Thickness Tolerance	±10% >	±10.0%, NLT : ±0.05mm
Metalized Part	Conductive Layer	Cu-Ni-Au / Cu-Ni-Ag / Customized Up to 100μm in Thickness
	Via Hole	φ75μm min
	Pattern Construction	Single Face / Double Face with Via Holes / Customized